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数据格式说明
• 支持两列数据（结合能, 强度）的 CSV / TXT / DAT / XLS / XLSX 文件。
• 文本文件列之间支持逗号、空格或制表符分隔；Excel 文件默认读取第一个工作表的前两列。
• 横坐标必须为结合能 (Binding Energy, eV)。如使用动能 (Kinetic Energy) 数据，请先在仪器软件中转换。
• 请上传加偏压测试的数据（样品偏压通常为 −5 ~ −10 eV）。无偏压数据的二次电子截止边无法准确测量。
• 示例格式：BE(eV), Intensity → 16.50, 12500
测试参数设置
偏压用于助推二次电子，通常为 -5 ~ -10 eV
根据标样费米边校准，正值右移
由 UV-Vis 吸收光谱或 Tauc plot 获得
功函数分析 (二次电子截止边)
💡 输入二次电子截止边陡峭段的 X（结合能）范围，系统对该范围内数据进行线性拟合，拟合线与 Y=0 的交点即为 Ecutoff。
拟合范围 (Binding Energy, eV)
—
计算公式
φ = hν − Ecutoff
功函数 φ
— eV
价带顶（最高分子占据轨道)分析（注入势垒）
💡 输入价带顶上升沿陡峭段的 X（结合能）范围，系统对该范围内数据进行线性拟合，拟合线与 Y=0 的交点即为注入势垒 EVB(F)。
拟合范围 (Binding Energy, eV)
—
注入势垒 EVB(F)
— eV
EVBM(HOMO)
— eV
计算公式
EVBM(HOMO) = −(hν − Ecutoff + EVB(F))， ECBM = EVBM(HOMO) + Eg
1 UPS 全谱图
2 二次电子截止边 — 功函数分析
拟合范围
坐标轴范围调整
3 注入势垒——价带顶（HOMO)分析
拟合范围
坐标轴范围调整
4 UPS 能级示意图
5 能级计算结果
二次电子截止边 Ecutoff
—
eV (结合能)
功函数 Φ
—
eV (vs vacuum)
注入势垒 EVB(F)
—
eV (结合能)
EVBM(HOMO)
—
eV (vs vacuum)
电离势 IP
—
eV
电子亲和能 EA
—
eV
费米能级 EF
—
eV (vs vacuum)
ECBM(LUMO)
—
eV (vs vacuum)
半导体类型
—
—
参数物理意义说明
Ecutoff 二次电子截止边
二次电子能谱中强度骤降的能量位置，由线性拟合与 Y=0 的交点确定
Φ 功函数
电子从费米能级逸出至真空所需最小能量，Φ = hν − Ecutoff
EVB(F) 注入势垒
价带顶相对费米能级的结合能，由价带上升沿线性拟合与 Y=0 的交点确定，代表空穴注入势垒高度
IP 电离势
将 HOMO 电子电离至真空所需能量，IP = |EHOMO|
EA 电子亲和能
将电子从真空注入 CBM 释放的能量，EA = |ECBM|
EF 费米能级
电子占据概率为 1/2 的能级，EF = −Φ (相对于真空能级)
ECBM(LUMO) 导带底
最低未占据分子轨道，ECBM = EVBM(HOMO) + Eg
半导体类型
EF 靠近 ECBM 为 n型（电子主导），靠近 EVBM 为 p型（空穴主导）
提示：
He I 光源光子能量 hν = 21.22 eV。UPS 测量中，样品施加负偏压（通常 −5 ~ −10 eV）用于助推低能二次电子逃离样品表面，使截止边能被准确检测。结合能轴以费米能级为零点校准。